TL082IDRG4
![](/img-new/pdf.png)
TL082IDRG4 datasheet
-
МаркировкаTL082IDRG4
-
ПроизводительTI (Texas Instruments)
-
ОписаниеTI (Texas Instruments) TL082IDRG4 -3db Bandwidth: - Amplifier Type: J-FET Current - Input Bias: 30pA Current - Output / Channel: - Current - Supply: 1.4mA Gain Bandwidth Product: 3MHz Mounting Type: Surface Mount Number Of Circuits: 2 Operating Temperature: -40?°C ~ 85?°C Output Type: - Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width) Series: - Slew Rate: 13 V/?µs Voltage - Input Offset: 3000?µV Voltage - Supply, Single/dual (?±): 7 V ~ 36 V, ?±3.5 V ~ 18 V Product Category: Operational Amplifiers - Op Amps RoHS: yes Number of Channels: 2 Common Mode Rejection Ratio (Min): 75 dB Input Offset Voltage: 6 mV Input Bias Current (Max): 200 pA Operating Supply Voltage: 7 V to 36 V, +/- 3.5 V to +/- 18 V Mounting Style: SMD/SMT Shutdown: No Maximum Operating Temperature: + 85 C Maximum Dual Supply Voltage: +/- 18 V Minimum Dual Supply Voltage: +/- 3.5 V Minimum Operating Temperature: - 40 C Factory Pack Quantity: 2500 Supply Current: 5.6 mA Technology: BiFET Voltage Gain dB: 106.02 dB Package: SOIC
-
Количество страниц41 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>На текущий момент наблюдается активный рост рынка промышленной автоматизации. Внедряются все новые инновационные технологии машинного обучения (ML) и роботизированные системы. Встроенные решения с четкой детерминированной связью крайне актуальны для приложений промышленной автоматизации для управления, контроля, мониторинга и обработки данных.</p> <p>На текущий момент наблюдается активный рост рынка промышленной автоматизации. Внедряются все новые инновационные технологии машинного обучения (ML) и роботизированные системы. Встроенные решения с четкой детерминированной связью крайне актуальны для приложений промышленной автоматизации для управления, контроля, мониторинга и обработки данных.</p>](/images/cache/aeac000bf61ac666360adf9c7451dd8c.png)
10.06.2024
![<p>В начале 2024 года (8 января) компания Onsemi представила на рынке линейку новых интегрированных модулей EliteSiC Power Integrated Modules (PIM). Девять модулей обеспечивают возможность двунаправленной зарядки для сверхбыстрых зарядных устройств постоянного тока для электромобилей (EV) и систем хранения энергии (ESS).</p> <p>В начале 2024 года (8 января) компания Onsemi представила на рынке линейку новых интегрированных модулей EliteSiC Power Integrated Modules (PIM). Девять модулей обеспечивают возможность двунаправленной зарядки для сверхбыстрых зарядных устройств постоянного тока для электромобилей (EV) и систем хранения энергии (ESS).</p>](/images/cache/c50c2531408230a0ca82da73d6f89f2b.png)
09.06.2024
![<p>Компания Efficient Power Conversion (EPC) выпустила три новые оценочные платы на полевых транзисторах GaN, отвечающих требованиям стандарта AEC-Q101, демонстрирующих превосходную производительность в системах LIDAR.</p> <p>Компания Efficient Power Conversion (EPC) выпустила три новые оценочные платы на полевых транзисторах GaN, отвечающих требованиям стандарта AEC-Q101, демонстрирующих превосходную производительность в системах LIDAR.</p>](/images/cache/e9af8a61da4e6a2cdc233e14d3777562.png)
08.06.2024